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TT: Tiefe Temperaturen

TT 15: Postersitzung II: Elektronische Eigenschaften (1-12), Josephson-Kontakte (13-27), Heavy Fermions (28-40), Theorie HTSL (41-48), M-I-Überg
änge, Korrelierte Systeme (49-79)

TT 15.25: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Untersuchung des elektrischen Verhaltens von STM-strukturierten HTC-Mikrobrücken — •Guenter Bertsche, Wilfried Clauss, Freek Prins und Dieter P. Kern — Inst. für Angewandte Physik, Univ . Tübingen, Auf der Morgenstelle 10, 72074 Tübingen

Eine von uns entwickelte Methode erlaubt die Oberflächenmodifikation Hochtemperatur-Supraleiter-Filme mit dem Rastertunnelmikroskop (STM) im Nanometer-Bereich. Durch die Kombination dieser Strukturierungstechnik mit konventioneller Elektronenstrahl-Lithographie ist es möglich, die kritischen Dimensionen im Bereich der Kohärenzlänge zu erreichen und weak links auf vorstrukturierten Mikrobrücken zu erzeugen. Messungen der Strom-Spannungs-Kennlinien von in dieser Art hergestellten Proben im Temperaturbereich zwischen 4 und 77 K zeigen, daß die Supraleitungs- Eigenschaften des

Films durch die Bearbeitung nicht geschädigt werden. Insbesondere konnte durch sukzessive STM-Bearbeitungsschritte, zwischen denen die Probe jeweils bei 77 K vermessen wurde, der kritsche Strom für den Übergang in die Normalleitung kontinuierlich verrringert werden, wie es aufgrund der Querschnittsreduzierung der Brücke erwartet wird. Kennlinien im Bereich kleiner Spannungen zeigen darüber hinaus das füer den Übergang vom Transport von einzelnen in Zustände mit mehreren Flußquanten charakteristische Verhalten.