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TT: Tiefe Temperaturen
TT 15: Postersitzung II: Elektronische Eigenschaften (1-12), Josephson-Kontakte (13-27), Heavy Fermions (28-40), Theorie HTSL (41-48), M-I-Überg
änge, Korrelierte Systeme (49-79)
TT 15.34: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:30–18:00, Foy
Hall-Effekt Messungen am Lanthan dotierten Kondo-Isolator Ce3Bi4Pt3 — •T. Pietrus und H. v. Löhneysen — Physikalisches Institut und SFB 195, Universität Karlsruhe, Engesserstr. 7, 76128 Karlsruhe, Germany
Seltenerdverbindungen zeigen die verschiedensten Grundzustände wie z.B. Schwer-Fermion- Verhalten, magnetische Ordnung oder Nicht-Fermi-Flüssigkeitsverhalten. In einigen Systemen mit einfacher Bandstruktur wird dagegen die Ausbildung eines isolierenden Grundzustandes beobachtet. Zu dieser Gruppe gehört Ce3Bi4Pt3 mit einer Bandlücke von ca. 100 K [1]. Das isolierende Verhalten ist dabei empfindlich von der Störstellenkonzentration abhängig.
Um Erkenntnisse über die Auswirkungen von Störstellen auf die Zustandsdichte in der Bandlücke zu gewinnen, wurden Messungen des Halleffekts an (Ce1−xLax)3Bi4Pt3-Einkristallen im Temperaturbereich zwischen 1.5 und 80 K durchgeführt. Die Einkristalle wurden aus Bi-Fluß mittel gezogen. Für alle untersuchten Konzentrationen (x= 0, 0.006, 0.1, 0.2, 0.3, 0.5 und 1) ergibt sich eine Abnahme der aus dem Halleffekt bestimmten Ladungsträgerkonzentration N(T) mit sinkender Temperatur. Während sich N(T=1.5K) für x≥ 0.1 mit abnehmender Dotierung um weniger als eine Größenordnung ändert, zeigt sich für x=0.006 und 0 unterhalb von 40 K ein starker Abfall. Verglichen mit N(x=0.1) ergibt sich bei 1.5 K für x=0 eine Reduktion der Ladungsträgerkonzentration von mehr als zwei Größenordnungen.
[1] M.F.Hundley et al., Phys. Rev. B 50 (1994) 18142