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Münster 1999 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 16: Anwendungen der HTSL: Hochfrequenz und Elektronik

TT 16.5: Talk

Thursday, March 25, 1999, 11:30–11:45, F1

Mechanismen des Elektrischen Feld Effektes an Hoch-TC Korngrenzenkontakten — •A. Schmehl, H. Hilgenkamp, B. Goetz, R.R. Schulz, C.W. Schneider und J. Mannhart — Experimentalphysik VI, EKM, Universität Augsburg, D-86135 Augsburg

Umfangreiche Untersuchungen der letzten Jahre haben gezeigt, daß die Transporteigenschaften von Hoch-TC Korngrenzenkontakten im wesentlichen durch Versetzungsstrukturen, die d-Wellensymmetrie des supraleitenden Ordnungsparameters und durch die Verbiegung der elektronischen Bandstrukturen der Supraleiter bestimmt werden.
Basierend auf diesem Verständnis wird das Verhalten von Transistoren, die den elektrischen Feldeffekt an Korngrenzen ausnutzen, analysiert. Es wird gezeigt, daß für geeignete Probenkonfigurationen der elektrische Feldeffekt über einen neuartigen Mechanismus die kritische Stromdichte beeinflussen kann, welche zusätzlich zur bekannten Änderung der Ladungsträgerdichte der Kuprate auftritt. Dieser Mechanismus wirkt auf Korngrenzen, die mit Raumladungszonen behaftet sind. In solchen Josephsonkontakten kann ein angelegtes elektrisches Feld über die Änderung der effektiven Abschirmlänge der Korngrenze die Breite der Raumladungszone und damit den kritischen Strom des Josephsonkontaktes beeinflussen.

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