Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 20: Metall-Isolator-Überg
änge
TT 20.5: Hauptvortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 16:00–16:30, F2
Der Metall-Isolator-Übergang binärer Vanadiumoxide: Elektronische Struktur und Gittereffekte — •S. Horn, M. Klemm, G. Obermeier, M. Schramme und J.P. Urbach — Institut für Physik, Universität Augsburg, D-86135 Augsburg
Der Metall-Isolator(MI)-Übergang in den binären Vanadiumoxiden V2O3 und VO2 ist mit einer strukturellen Phasenumwandlung verbunden. Das Zusammenspiel von Gitter- und elektronischen Freiheitsgraden ist somit für ein Verständnis des MI-Übergangs, wie z.B. der Ordnung des Phasenübergangs, von großer Bedeutung. Daher ist es wichtig, den Zusammenhang zwischen Gitterstruktur und elektronischer Struktur in der Nähe des Übergangs zu untersuchen. Zu diesem Zweck wurden ober- und unterhalb des MI-Übergangs polarisationsabhängige Röntgenabsorptionsmessungen im harten und weichen Röntgenbereich, die die lokale elektronische Struktur sowie die lokale Symmetrie des Gitters wiederspiegeln, durchgeführt. Winkel- und polarisationsaufgelöste Photoemission wurde als Funktion der Temperatur gemessen. Aus den Messungen läßt sich schließen, daß in V2O3 und seinen Legierungen das Auftreten einer isolierenden Phase immer mit einer lokalen bzw. einer langreichweitigen Gitterverzerrung verbunden ist und daß alle isolierenden Phasen durch die gleiche lokale elektronische Struktur charakterisiert werden. Photoemissionsmessungen an reinem V2O3 zeigen bis zu Temperaturen nahe des MI-Übergangs eine temperaturunabhängige Intensität an der Fermikante, die beim Übergang kontinuierlich in einem Temperaturfenster verschwindet, das der Breite des resistiv gemessenen MI-Übergangs entspricht.
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