Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
TT: Tiefe Temperaturen
TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)
TT 21.31: Poster
Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy
Kombinierung der Sputter- und Laserdeposition zur Herstellung von YBCO-Schichten auf gepufferten Siliziumsubstraten — •F. Schmidt1, S. Linzen1, A. Matthes1, J. Kräußlich2, F. Schmidl1 und P. Seidel1 — 1Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität Jena — 2Institut für Optik und Quantenelektronik, Friedrich-Schiller-Universität Jena
Die Kombination von Hochtemperatursupraleiter- mit Halbleitertechnologien als auch die Anwendbarkeit für Hochfrequenzbauelemente macht die Verwendung von Silizium als Substratmaterial interessant. Für die Abscheidung von YBCO auf einem solchen Substrat ist der Einbau von Pufferschichten unumgänglich. Eine Möglichkeit besteht in der Verwendung von Y-stabilisierten-ZrO2 (YSZ) und CeO2 als Puffer. Ein etabliertes Abscheideverfahren zur Erzeugung des YBCO/CeO2/YSZ-System auf Silizium ist die Laserdeposition. Um spezielle technologischen Nachteile zu umgehen, wurde das Sputterverfahren zur Erzeugung einer bzw. mehrerer Komponenten des untersuchten Systems in den Depositionsprozeß einbezogen. Zur Charakterisierung der entstandenen Schichten bzw. Schichtsysteme wurde von festkörperanalytischen (SEM, RBS, XRD) als auch elektrischen (Tc, jc) Meßmethoden Gebrauch gemacht. Dabei werden Korrelationen zwischen den charakterisierenden Größen und den angewandten Verfahren herausgearbeitet.
Teilweise gefördert durch das BMBF (FKZ 13 N 6808)