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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)

TT 21.37: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Präparation von biaxial texturierten CeO₂-Filmen mittels ionenstrahlgestützter Deposition — •M.Q. Huang, J. Geerk, O. Meyer, H. Reiner, G. Linker und R. Fromknecht — Forschungszentrum Karlsruhe, INFP und ITP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

CeO₂-Filme sind als Pufferschichten bei der Deposition von HTSL-Filmen von Bedeutung. Wir untersuchen, ob CeO₂ als Puffer für untexturierte bzw. amorphe Substrate dienen kann und haben texturierte CeO₂-Filme auf amorphem Quarzglas mittels ionenstrahlgestützter Deposition hergestellt. Als Target diente stöchiometrisches CeO₂; die Ionenquelle zur Substratbestrahlung wurde mit einem Gemisch von Ar und O₂ betrieben. Die beste Textur von (100)-orientierten CeO₂-Schichten mit Halbwertsbreiten von 12^∘C und 7^∘C für die in-plane bzw. out-of-plane- Verteilung wurde bei folgenden Beschichtungsparametern erhalten: Substrattemperatur 100^∘C, Verhältnis der Ionen-zu-Atom-Zuflüsse am Substrat von 1, Bestrahlungswinkel 55^∘C und Bestrahlungsenergie 300 eV. Bei zu hoher Substrattemperatur erscheint vermehrt (111)-Wachstum, woraus sich schließen läßt, daß (100)-Wachstum eine geringe Oberflächenbeweglichkeit erfordert. Erste YBaCuO-Filme, deponiert auf diesen Pufferschichten, zeigten c-Achsen-orientiertes Wachstum mit Mosaikbreiten um 1.3^∘ und Übergangstemperaturen oberhalb von 80 K.