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TT: Tiefe Temperaturen
TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)
TT 21.48: Poster
Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy
Transporteigenschaften Titan-dotierter Nb3Sn-Filme auf Saphir — •M. Perpeet, M.A. Hein, G. Müller und H. Piel — Universität Wuppertal, Fachbereich Physik, Gaußstraße 20, 42097 Wuppertal
Nb3Sn-Filme stellen auf Grund der starken Paarkopplung sowie der kurzen Kohärenzlänge eine interessante
Vergleichssubstanz zu den oxidischen Hochtemperatursupraleitern dar. Insbesondere versprechen
Dotierungsexperimente weitere Einblicke in Zustandsdichte sowie Transport- und Streumechanismen. Die
Zweistufen-Präparation von Nb3Sn-Filmen auf Saphir
(1. Nb-Sputtern, 2. Sn-Diffusion) bietet durch das Einbringen von Zwischenlagen des Dotandenmaterials
in den Nb-Precursor und anschließende Sn-Diffusion eine einfache Möglichkeit der Dotierung.
Als Dotand wurde zunächst Titan gewählt. Die temperaturabhängige
Oberflächenimpedanz Zs=Rs+iωµ 0λ wurde als Funktion des
Dotierungsanteils cTi bei 87GHz gemessen und durch induktive Messungen der kritischen
Stromdichte Jc bei 4.2K ergänzt. Mit steigendem cTi (0 bis 11.5 at%) nahm der
spezifische Widerstand ρ(Tc) linear von 6.2 auf 38.3
µΩ cm zu. Dies reflektiert eine
Verkürzung der Streulängen der ungepaarten Ladungsträger l von 14 auf 2 nm. Für geringe Dotierungen
nahm Rs nahe der Sprungtemperatur Tc ab und durchlief bei cTi≈ 3.1 at% ein Minimum.
Korreliert mit diesem Minimum traten Maxima in Tc und Jc auf:
Tc=18.0K (bzw. 18.2 K) und Jc= 2.2MA/cm2 (3.0MA/cm2) bei cTi=0 at%
(≈ 3.1 at%). Die Krümmung von λ(T) nahm in diesem Bereich
signifikant zu. Die reduzierte Energielücke stieg monoton
von Δ/kTc≈ 1.9 auf ≈ 2.3 und sättigte für cTi≈ 3.1 at%
bei diesem Wert. Diese Effekte reflektieren sowohl Änderungen der Zustandsdichte an der
Fermikante,
als auch (nicht-)magnetische Verunreingungsstreuung.