Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)

TT 21.50: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Sauerstoffdiffusion und Mikrostruktur in YBa₂Cu₃O_7−δ-Dünnschichten — •A. Winkel¹, S. Kittelberger¹, R. P. Hübener¹, O. M. Stoll¹, U. Bolz¹ und ² — ¹Physikalisches Institut, Lehrstuhl für Experimentalphysik II, Universität Tübingen, Morgenstelle 14, D-72076 Tübingen — ²

Die Sauerstoffordnung und der Sauerstoffgehalt in YBa₂Cu₃O_7−δ nehmen entscheidenden Einfluß auf die elektronischen Transporteigenschaften. Spezielle Kenntnisse über die Sauerstoffdiffusion in YBa₂Cu₃O_7−δ-Dünnschichten sind für die optimale Dotierung von Mehrschichtsystemen und damit für die technologische Anwendung besonders wichtig.
Die Ein- und Ausdiffusion von Sauerstoff in epitaktischen, c-Achsen orientierten YBa₂Cu₃O_7−δ-Schichten wird bei einem Sauerstoffpartialdruck von 900 mbar durch Temperatursprünge im Temperaturbereich bis 800 K unter Berücksichtigung charakteristischer struktureller Schichteigenschaften untersucht. Als Maß für den Sauerstoffgehalt der Schichten dienen isotherme elektrische Widerstandsmessungen. Die Mikrostruktur
wird mittels SEM, AFM, und Texturanalysen bestimmt.
Neben den Diffusionsprozessen im Schichtvolumen spielen besonders für die Eindiffusion von Sauerstoff Dissoziationsprozesse an der Probenoberfläche eine wichtige Rolle. Veränderungen der Oberflächenmorphologie bei hohen Temperaturen und deren Auswirkungen auf die physikalisch-chemischen Diffusionseigenschaften bei YBa₂Cu₃O_7−δ-Schichten werden mit Hilfe von ortsauflösenden, bildgebenden Verfahren analysiert.