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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)

TT 21.7: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Dielektrische Tieftemperatureigenschaften von LiF-Kristallen mit OH⁻ und OD⁻-Defekten — •S. Ludwig, D. Schreiber, T. Söll, R. Weis und C. Enss — Institut für Angewandte Physik, Universität Heidelberg, Albert-Ueberle-Str. 3-5, D-69120 Heidelberg

Bestimmte Defekte in Kristallen bilden Tunnelsysteme, welche die thermischen, akustischen und dielektrischen Eigenschaften solcher Materialien bei tiefen Temperaturen stark beeinflussen. Ein bislang wenig untersuchtes System stellen OH⁻-Defekte in LiF dar. Wir haben an derartigen Kristallen dielektrisch Experimente in einem weiten Frequenz- und Temperaturbereich durchgeführt, die zeigen, daß als Funktion der Konzentration ein Übergang von kohärent tunnelnden isolierten Defekten zu stark wechselwirkenden Defekten mit inkohärenter Dynamik stattfindet. Interessanterweise wird dieser Übergang beim Vergleichssystem OD⁻ in LiF schon bei wesentlich geringeren Konzentrationen beobachtet. Der Grund für diesen Unterschied liegt in der Tatsache, daß die Tunnelaufspaltung der OD⁻-Defekte um mehr als einen Faktor sechs kleiner ist als beim OH-dotierten LiF. Wir stellen außerdem erste Ergebnisse für OH⁻- und OD⁻-Defekte in NaF und KF vor und diskutieren dielektrische Echoexperimente an paarweise tunnelnden OH⁻-Defekten in LiF.