Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Hochfrequenzeigenschaften (1-4), Amorphe Systeme (5-9), Borkarbide (10-18), Quantenflüssigkeiten (19-25), Dünne Filme (26-49), Vortexdynamik, Pinning (50-63), M-I-Überg
änge, quantenkritische Ph
änomene (64-89)

TT 21.9: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Elektronischer Transport in ungeordneten metallischen Systemen — •P. Häussler und H. Nowak — Institut für Physik, Technische Universität D-09107 Chemnitz

In diesem Beitrag stellen wir eine Modellrechnung für den elektrischen Widerstand und die Thermokraft in ungeordneten Systemen vor. Die mittlere Atomverteilung in den ungeordneten Systemen wird dabei durch eine zwiebelschalenartige Anordnung der Atom beschrieben. Das führt zur teilweisen Lokalisierung dynamischer Anregungen und bestimmt damit stark die Transporteigenschaften des Systems. In einem weiteren Beitrag wird ein Modell für diese lokalen dynamischen Anregungen vorgestellt und das entsprechende Quasiteilchen Amorphon eingeführt Neben der Streuung von Elektronen an den Debyephononen wird der zusätzliche Streumechanismus am Amorphon angewendet. Das Modell wird an amorphen CuSn-Legierungen erprobt. Dazu führen wir eine molekulardynamische Rechnungen der atomaren Struktur durch und berechnen die Temperaturabhängigkeit des Widerstandes und der Thermokraft im Rahmen der Boltzmanntheorie. Die Resultate werden mit entsprechenden experimentellen Daten verglichen.