Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

TT: Tiefe Temperaturen

TT 3: Elektronische Eigenschaften von HTSL

TT 3.2: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 10:30–10:45, F3

Plasmonendispersion an Bi₂Sr_2−xLa_xCuO_6+δ-Einkristallen — •A. Hauschild^1,2, M. Knupfer¹, S. Atzkern¹, M.S. Golden¹, J. Fink¹, U. Merkt², A. Krapf³, C. Janowitz³ und R. Manzke³ — ¹Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden, 01171 Dresden — ²Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, 20355 Hamburg — ³Institut für Physik (EES), Humboldt Universität zu Berlin, 10115 Berlin

Die Sprungtemperatur des Hochtemperatursupraleiters
Bi₂Sr_2−xLa_xCuO_6+δ ist abhängig vom Lanthangehalt. Unterhalb der optimalen Dotierung treten im normalleitenden Zustand deutliche Abweichungen vom Fermiflüssigkeitsverhalten auf. Deshalb wurde die niederenergetische Verlustfunktion Im(−1/ ε) in Abhängigkeit von der Dotierung mittels Elektronen-Energieverlustspektroskopie in Transmission für verschiedene Impulsüberträge gemessen. Es wurde die Dispersion des Ladungsträgerplasmons als Funktion der Richtung im k-Raum bestimmt. Über die Dispersion der Plasmonen erhält man einen Zugang zur Größe und Anisotropie der Fermioberfläche des untersuchten Systems.