Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 3: Elektronische Eigenschaften von HTSL
TT 3.6: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 11:45–12:00, F3
Untersuchungen zur elektronischen Struktur von
Bi2Sr2−xLaxCuO6+δ-Einkristallen — •R. Müller, R. Schardin, C. Janowitz, A. Müller, W. Frentrup, A. Krapf, T. Plake, D. Schröder und R. Manzke — Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin
Wir präsentieren Ergebnisse aus der winkelaufgelösten Photoemissionsspektroskopie (ARPES) und der polarisationsabhängigen Röntgenabsorptionsspektroskopie (XAS) am System Bi2Sr2−xLaxCuO6+δ. Dieses System ist durch eine CuO2-Schicht pro Einheitszelle ausgezeichnet. Die Sprungtemperatur Tc läßt sich durch Dotierung mit La einstellen, wobei bei optimaler Dotierung (x=0.35) ein Tc von 29 K erreicht wird. Die Unterschiede der elektronischen Struktur der besetzten Zustände für unterschiedliche La-Konzentrationen wird am Vergleich einiger Spektrenserien entlang hochsymmetrischer Richtungen (ΓX, ΓY, ΓM) diskutiert. Am optimal dotierten Einschichtsystem (Bi2201) wurde hierbei erstmals entlang ΓY das Auftreten zweier Schattenbänder beobachtet. Zur Charakterisierung der unbesetzten Zustände wurden polarisationsabhängige XAS-Messungen an der O 1s-, bzw. Cu 2p-Kante durchgeführt. Die Ergebnisse an diesem Einschichtsystem werden mit Messungen unserer Arbeitsgruppe am Zwei- (Bi2212) und am Dreischichtsystem (Bi2223) verglichen [1].
[1] C.Janowitz, R. Müller, A. Müller, R. Manzke. Physica B, in press Gefördert durch das BMBF (Projekt−Nr. 05SB8KH10)