Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 7: Heavy Fermions

TT 7.9: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 12:15–12:30, F1

Wachstumscharakteristiken von epitaxialen (001)– und (111)– Dünnschichten — •H. Meffert, J. Oster, P. Haibach, M. Huth und H. Adrian — Institut für Physik, Johannes Gutenberg- Universität, 55099 Mainz

Es werden Ergebnisse der Präparation dünner Schichten des Systems CeSb vorgestellt, welches mit 0.02 Ladungsträgern pro Cer-Atom zu den Kondo–Systemen mit niedriger Ladungsträgerkonzentration zählt.

Die Proben werden mittels Molekularstrahlepitaxie auf Al₂O₃ (1120)– und MgO (100)–Substraten abgeschieden. Es zeigt sich, daß eine Phasenbildung erst für Substrattemperaturen höher als 300^∘ C einsetzt. Die Stöchiometrie der Schichten ist über einen sehr großen Bereich des Ratenverhältnisses von Ce:Sb konstant. Während man auf Saphir jedoch immer ein Wachstum in (001)–Richtung erhält, erreicht man bei MgO– Substraten durch eine geeignete Wahl der Antimonrate einen Übergang von (001)– zu (111)–orientiertem Wachstum. Dies wird auf eine kinetische Limitierung der Oberflächendiffusion bei hohen Sb-Flüssen zurückgeführt. Mittels Vierkreisdiffraktometrie konnte nachgewiesen werden, daß eine Erhöhung der Substrattemperatur bis auf 950^∘ C eine starke Verbesserung der Kristallinität und ein Einsetzen von epitaxialer lateraler Ordnung zur Folge hat.

Transportmessungen ergeben, daß der Verlauf der Temperaturabhäng-igkeit des elektrischen Widerstandes dem von Volumenproben bekannten Verhalten entspricht. Magnetotransportmessungen lassen darauf schliessen, daß auch in den dünnen Schichten ein Großteil des von Volumenproben bekannten, äußerst komplexen magnetischen Phasendiagrammes realisiert ist.

Dieses Projekt wird gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB252