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TT: Tiefe Temperaturen
TT 9: Postersitzung I: TT-Teilchendetektoren (1-7), TT-Techniken (8-11), 2-D-Systeme (12-21), Meso- u. nanoskopische Strukturen (22-44), Niederdim. Spinsysteme (45-60), Tunneln u. Symmetrien (61-65), SQUID-Anwendungen (66-73), Massive HTSL, Bandleiter (74-96)
TT 9.30: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 09:30–12:30, Z
Semiklassische Theorie der frequenzabhängigen Leitfähigkeit eines Tunnelkontaktes — •G. Göppert1,2 und H. Grabert1 — 1Fakultät für Physik, Albert-Ludwigs-Univ., Hermann-Herder-Str.3, D-79104 Freiburg, Germany — 2Service de Physique de l’Etat Condensé, CEA-Saclay, 91191 Gif-sur-Yvette, France
Wir betrachten metallische Tunnelkontakte, die linear an eine elektromagnetische Umgebung gekoppelt sind. Untersucht wird insbesondere der Einfluß der Umgebung und der Ladungsenergie auf das Tunneln von Elektronen. Wir beschreiben den Tunnelvorgang durch ein Pfadintegral über die zur Ladung konjugierten Phase und benutzen diesen formal exakten Ausdruck um die frequenzabhängige lineare Leitfähigkeit im Hochtemperatur-Bereich zu bestimmen. Das analytische Ergebnis zeigt unter anderem eine Anomalie in der Leitfähigkeit [1] bei verschwindender Kopplung an die Umgebung. Desweiteren werden die analytischen Ergebnisse mit der selbstkonsistenten harmonischen Näherung und mit experimentellen Daten [2] verglichen.
[1] G. Göppert, X. Wang, and H. Grabert, Phys. Rev. B 55, R10213 (1997).
[2] P. Joyez, D. Esteve, and M. H. Devoret Phys. Rev. Lett. 80, 1956 (1998).