Münster 1999 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
TT: Tiefe Temperaturen
TT 9: Postersitzung I: TT-Teilchendetektoren (1-7), TT-Techniken (8-11), 2-D-Systeme (12-21), Meso- u. nanoskopische Strukturen (22-44), Niederdim. Spinsysteme (45-60), Tunneln u. Symmetrien (61-65), SQUID-Anwendungen (66-73), Massive HTSL, Bandleiter (74-96)
TT 9.35: Poster
Tuesday, March 23, 1999, 09:30–12:30, Z
Messung und Analyse von Leitwertfluktuationen in Nanometerdrähten — •P. vom Stein1, R. Schäfer1, C. Wallisser1 und H. Hein2 — 1Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — 2Forschungszentrum Karlsruhe, IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe
Wir berichten über Messungen von Leitwertfluktuationen an Nanodrähten aus Edelmetallen bei T∼ 30 mK. Auf die mittels Elektronenstrahllitographie hergestellten Nanometermasken werden die Metalle bei tiefen Temperaturen (T∼ 10 K) abschreckend kondensiert. Die empfindlichen Bereiche der Probe werden mit einer Passivierungsschicht aus GeO2 bedeckt. Die so erzeugten Nanometerdrähte zeigen eine kleine mittlere freie Weglänge ℓ ∼ 4 nm .
Fluktuationsspektren wurden sowohl aus Messungen des Magnetoleitwerts als auch durch Aufnahme von Strom-Spannungs-Kennlinien gewonnen. Wesentlich für die Analyse der Meßdaten ist eine verläßliche Bestimmung der die Spektren charakterisierenden Größen rms-Amplitude und kritisches Feld. Daher wurden Simulationsrechnungen durchgeführt, die den Einfluß experimentell bedingter Faktoren (Rauschen, Filterung, Diskretisierung, Fitprozedur) auf diese Kenngrößen aufzeigen und quantitative Aussagen über deren Fehler liefern.