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TT: Tiefe Temperaturen
TT 9: Postersitzung I: TT-Teilchendetektoren (1-7), TT-Techniken (8-11), 2-D-Systeme (12-21), Meso- u. nanoskopische Strukturen (22-44), Niederdim. Spinsysteme (45-60), Tunneln u. Symmetrien (61-65), SQUID-Anwendungen (66-73), Massive HTSL, Bandleiter (74-96)
TT 9.36: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 09:30–12:30, Z
Aufbau einer Filtertechnik zur Messung von Einzelelektroneneffekten an Al/Al2O3/Al-Tunnelkontakten — •C. Wallisser1, A. Sypli1, B. Limbach1, S. Kaus1, R. Schäfer1, P. vom Stein1 und H. Hein2 — 1Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — 2Forschungszentrum Karlsruhe, IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe
Wir berichten von Herstellung und Einbau von Hochfrequenzfiltern in unseren 3He/4He-Toploading-Entmischungskryostaten. Wichtig für die Messung von Einzelelektroneneffekten ist eine sorgfältige Abschirmung der Probe gegen hochfrequente Einstrahlung und eine Strommessung mit hoher Auflösung. Dazu wurden die Meßkabel innerhalb der Mischkammer mit jeweils 1 m Miniaturkoaxialkabel versehen, das aus einer Edelstahlkapillare und Widerstandsdraht gefertigt wird. Frequenzen größer 20 GHz werden mit mehr als 200 dB/m unterdrückt. Eine weitere Filterung findet bei Raumtemperatur statt. Ein rauscharmer Vorverstärker ist direkt am Kopf des Kryostaten in die Schirmung integriert und liefert eine Stromauflösung von 100 fA.
Erste Messungen an Al/Al2O3/Al-Einzelelektronentransistoren, bei denen eine effektive Temperatur unter 50 mK erreicht wurde, werden vorgestellt.