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TT: Tiefe Temperaturen

TT 9: Postersitzung I: TT-Teilchendetektoren (1-7), TT-Techniken (8-11), 2-D-Systeme (12-21), Meso- u. nanoskopische Strukturen (22-44), Niederdim. Spinsysteme (45-60), Tunneln u. Symmetrien (61-65), SQUID-Anwendungen (66-73), Massive HTSL, Bandleiter (74-96)

TT 9.87: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–12:30, Z

Einfluß eines dreistufigen Sinterprozesses auf die kritische Stromdichte von Ag/Bi-2223 Bandleitern — •Beate Lehndorff¹, Bernd Günther¹, Peter Hardenbicker¹, Michael Hortig², Jahangir Pouryamout¹ und Helmut Piel² — ¹Bergische Universität Wuppertal, Fachbereich Physik, Institut für Materialwissenschaften, Gaußstr. 20, 42097 Wuppertal — ²Cryoelectra GmbH, Wettinerstr. 6H, 42287 Wuppertal

Durch die Reduktion der Sintertemperatur in der dritten Stufe der thermomechanischen Behandlung von Ag/Bi-2223 Bandleitern konnte eine signifikante Verbesserung der kritischen Stromdichte erreicht werden. Röntgenanalysen und Untersuchungen der Mikrostruktur im Elektronenmikroskop zeigen, daß der Grund für die Verbesserung in der Reduktion von Bi-2201 und -3221 zwischen den Korngrenzen zu finden ist. AC-Suszeptibilitätsmessungen belegen die verbesserte Konnektivität der Mikrokristallite. Diese Resultate erlauben den Rückschluß, daß gewisse Phasenumwandlungsprozesse in dieser letzten Phase des Herstellungsprozesses noch nicht ganz abgeschlossen sind. Die Ergebnisse aus dem dreistufigen Sinterprozeß werden mit denen aus unserem bisherigen Standardprozeß verglichen