Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 9: Postersitzung I: TT-Teilchendetektoren (1-7), TT-Techniken (8-11), 2-D-Systeme (12-21), Meso- u. nanoskopische Strukturen (22-44), Niederdim. Spinsysteme (45-60), Tunneln u. Symmetrien (61-65), SQUID-Anwendungen (66-73), Massive HTSL, Bandleiter (74-96)

TT 9.94: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–12:30, Z

Einfluß von Re-Dotierungen auf Phasenbildung und Mikrostruktur des Hg-1223-HTSL — •M. Reder¹, L. Schmidt², J. Wiesmann¹ und H.C. Freyhardt¹ — ¹Institut für Materialphysik, Universität Göttingen, Hospitalstr. 3–7, D-37073 Göttingen — ²Mineralogisch-Kristallographisches Institut, Goldschmidtstraße 1, D-37077 Göttingen

Die Re-Dotierung des Hochtemperatursupraleiters HgBa₂Ca₂Cu₃O_8+δ (Hg-1223), die zu einer Metallisierung der „blocking-layer“ und damit zu verringerter Anisotropie führt, beschleunigt gleichzeitig die Synthese und stabilisiert die Hg-1223-Phase. Zur Verbesserung der Synthese sind Verständnis und Kontrolle der Phasenbildungsmechanismen erforderlich. Daher wurde zur Analyse des Einflusses der Re-Dotierungen auf die Phasenbildunsmechanismen die zeitliche Entwicklung von Mikrostruktur und Phasenanteilen während der Synthese mit und ohne Dotierung mittels TEM und XRD untersucht. Es bilden sich zunächst die Phasen Hg-1201 und Hg-1212, die pro Einheitszelle zwei bzw. eine CuO₂- und Ca-Schicht weniger besitzen als Hg-1223. Die TEM-Untersuchungen legen nahe, daß die Hg-1223-Phase durch Interkalationsprozesse von CaCuO₂ in Hg-1201 bzw. Hg-1212 entsteht.