Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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VA: Vakuumphysik und Vakuumtechnik

VA 2: Vakuumverfahrenstechnik I

VA 2.1: Hauptvortrag

Montag, 22. März 1999, 14:00–14:40, ZH

Was kommt nach der optischen Lithographie? — •Wilhelm Br"unger — Fraunhofer-Institut f"ur Siliziumtechnologie, Fraunhoferstr. 1, 25524 Itzehoe

Die optische Lithographie wird noch mehrere Halbleitergenerationen abdecken. Neueste DUV-Stepper (λ = 193 nm) erreichen unter besonderen Bedingungen Strukturaufl"osungen unter 100 nm. Danach werden schrittweise f"ur einzelne Halbleiterebenen mit erh"ohten Anforderungen an Aufl"osung oder auch schon aus Kostengr"unden neue Verfahren eingef"uhrt. Es konkurrieren im Augenblick: Elektronenstrahlprojektion (SCALPEL), R"ontgenlithographie, (1:1; 1 nm), Ionenprojektion (4:1) und Erweitertes Ultraviolett (EUV, 13 nm). Die einzelnen Verfahren werden miteinander verglichen und bez"uglich erreichbarer Aufl"osung und Wafersurchsatz bewertet.