Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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VA: Vakuumphysik und Vakuumtechnik

VA 4: Vakuumverfahrenstechnik II

VA 4.1: Hauptvortrag

Dienstag, 23. März 1999, 10:00–10:40, ZH

Fokussierte Ionenstrahlen in der Halbleitertechnologie — •Stefan Lipp — FEI-Europe, Bretonischer Ring 16, 85630 Grasbrunn

Fokussierte Ionenstrahlsysteme, wie sie in der Halbleitertechnik verwendet werden, benutzen Flüssigmetallquellen, um einen Ionenstrahl zu erzeugen, der sich auf Strahldurchmesser von etwa 5 nm fokussieren lässt. Die Energie des Galliumionenstrahls liegt zwischen 25 keV und 50 keV. Der Ionenstrahl kann zur Bildgewinnung durch Detektion der Sekundärelektronen und zur Materialbearbeitung durch Sputtererosion eingesetzt werden. Durch die Kombination des Ionenstrahls mit geeigneten Gasen lässt sich Material selektiv abtragen bzw. lokal Material abscheiden. Die Strahlrasterung, die am Beispiel der ionenstrahlinduzierten Platinabscheidung genauer diskutiert wird, hat wesentlichen Einfluss auf die Materialabscheiderate. Es lassen sich mit dem Ionenstrahl sowohl leitfähige wie auch isolierende Schichten abscheiden. Durch Kombination von lokalem Materialabtrag und lokaler Materialabscheidung können Schaltkreismodifikationen an integrierten Schaltkreisen durchgeführt werden. Dies ermöglicht die schnelle Verifikation von Designänderungen an Prototypbauelementen. Weitere Anwendung findet der Ionenstrahl in der Erstellung von lokalen Querschnitten und TEM-Lamellen.