Bonn 2000 – wissenschaftliches Programm

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K: Kurzzeitphysik

K 5: Laserstrahl-Wechselwirkungen

K 5.6: Vortrag

Donnerstag, 6. April 2000, 15:15–15:30, HS XIV

Einsatz der Moire-Technik zur Bestimmung von Zustandgrößen bei laserinduzierten Oberflächenplasmen — •Ruediger Schmitt, Hartmut Borchert und Manfred Hugenschmidt — Deutsch-Franzoesisches Forschungsinstitut Saint-Louis, Postfach 1260, 79574 Weil am Rhein

Bei der Beaufschlagung dielektrischer, für die Wellenlänge des Lasers opaker Werkstoffe findet der Energieeintrag in dünnen Oberflächenschichten mit Eindringtiefen von nur wenigen Kikrometer statt. Insbesondere die Zündung laserinduzierter Oberflächenplasmen beeinflußt die Energieeinkopplung, da bei Überschreiten einer kritischen Elektronendichte eine Abschirmung stattfindet.

Zur Bestimmung der Elektronendichte kommt die Moire-Technik zum Einsatz, bei der anhand der Auslenkung des erzeugten Streifensystems eine ortsaufgelöste Bestimmung der Elektronendichte möglich ist. Eine preisgünstige und einfache Alternative zu den klassischen Interferometrieanordnungen bietet die Moiretechnik, bei der gleichfalls der räumliche Streifenverlauf durch den Brechungsindexgradienten festgelegt ist. Die Technik konnte sowohl erfolgreich zur Vermessung von Plasmen durch Festkörperlaser mit Beaufschlagungsdurchmessern von wenigen Mikrometern als auch bei großflächiger Beaufschlagung von einigen cm² mit gepulsten CO₂-Lasern eingesetzt werden.