Bonn 2000 – scientific programme

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Q: Quantenoptik

Q 44: Anwendung ultrakurzer Pulse III

Q 44.1: Talk

Friday, April 7, 2000, 11:45–12:00, HS XIII

Erzeugung von THz-Strahlung in Halbleiteroberflächen unter Einfluß eines äußeren magnetischen Feldes — •C. Weiß, R. Wallenstein und R. Beigang — Fachbereich Physik, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str., 67663 Kaiserslautern

Wir berichten über die Erzeugung von THz-Strahlung in Halbleiteroberflächen mit Hilfe von ultrakurzen Lichtimpulsen. Die von dem Lichtimpuls erzeugten freien Ladungsträger werden durch das Oberflächenfeld des Halbleiters beschleunigt und strahlen in Folge dieser Beschleunigung einen elektromagnetischen Impuls im Frequenzbereich um 1 THz ab. Legt man ein äußeres magnetisches Feld an, so läßt sich die erzeugte THz-Leistung erhöhen. Durch phasensensitive Messung der erzeugten THz-Strahlung sind wir in der Lage, die durch das Oberflächenfeld und das Magnetfeld erzeugten Komponenten der Strahlung zu identifizieren. Für die Halbleitermaterialien GaAs, GaSb, InAs, InSb und InP haben wir systematische Untersuchungen des Magnetfeldeinflusses auf die abgestrahlte THz-Leistung durchgeführt und können Aussagen zur relativen Leistungssteigerung in Abhängigkeit der Magnetfeldstärke machen.