Bonn 2000 –
scientific programme
Q 8: Halbleiterlaser
Tuesday, April 4, 2000, 14:00–15:30, HS XII
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14:00 |
Q 8.1 |
Erhöhung der Strahldichte von Hochleistungsbreitstreifenlasern durch kohärente Kopplung in externen Resonatoren — •E. Ullner, V. Raab und Ralf Menzel
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14:15 |
Q 8.2 |
Strahlqualitätsverbesserung von Hochleistungs-Diodenlaser-Barren durch kohärente Kopplung in externen Resonatoren — •V. Raab, E. Ullner und Ralf Menzel
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14:30 |
Q 8.3 |
Intensitätsrauschen von Halbleiterlasern unter optischer Rückkopplung — •M. J. Ertl, C. Degen und W. Elsäßer
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14:45 |
Q 8.4 |
Low frequency fluctuations in VCSELn mit isotroper optischer Rückkopplung — •T. Ackemann, M. Giudici, S. Barland, J. R. Tredicce und S. Balle
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15:00 |
Q 8.5 |
Experimentelle Untersuchung der Emissionseigenschaften von Trapezverstärkern in Abhängigkeit von der Dimensionierung und Strukturierung der aktiven Zone — •Claus Seibert, E. Gehrig, D. Woll, A. Robertson und R. Wallenstein
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15:15 |
Q 8.6 |
Characterisierung einer blauen GaN Laserdiode — •Henry Leinen, Dagmar Glässner, R. Wynands, Dietmar Haubrich und D. Meschede
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