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T: Teilchenphysik

T 103: Halbleiterdetektoren 1

T 103.4: Vortrag

Montag, 20. März 2000, 15:00–15:15, H\,03

Defektspektroskopie in Siliziumdetektoren nach Bestrahlung mit verschiedenen Teilchen — •M. Kuhnke, E. Fretwurst und G. Lindström — Universität Hamburg, II.Institut für Experimentalphysik

Durch eine Erhöhung des Sauerstoffgehaltes im Silizium ist es gelungen, die Strahlenresistenz von Detektoren bei Bestrahlung mit geladenen Hadronen bezüglich der Änderung der effektiven Dotierungskonzentration zu verbessern. Um Hinweise auf die mikroskopischen Ursachen des Sauerstoffeffektes zu erhalten, wurden detaillierte Untersuchungen zur Defektbildung und Kinetik mit Hilfe der DLTS-Methode (Deep Level Transient Spectroscopy) durchgeführt. Dazu wurden Siliziumdetektoren mit unterschiedlichem Sauerstoffgehalt mit Protonen, Pionen und Neutronen bestrahlt. Die Messungen ergaben, daß die auf den jeweiligen NIEL-Wert der unterschiedlichen Teilchen (Non Ionizing Energy Loss) normierten Generationsraten der Punktdefekte von der Teilchenart und der Energie abhängig sind und daß der Sauerstoffgehalt die Defektkinetik beeinflußt. Untersuchungen an 1ex60Co-γ-bestrahlten Proben zeigen, daß die hierbei hervorgerufene Schädigung allein auf die Erzeugung von Punktdefekten zurückzuführen ist, wogegen die Schädigung durch energiereiche Hadronen zu einen erheblichen Anteil durch die Bildung von Cluster bewirkt wird. Gefördert durch das BMBF Vorhaben 05 7HH17I