Dresden 2000 – scientific programme

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T: Teilchenphysik

T 103: Halbleiterdetektoren 1

T 103.5: Talk

Monday, March 20, 2000, 15:15–15:30, H\,03

Untersuchungen von prozeßspezifischen Oberflächeneigenschaften an Siliziumstrukturen verschiedener Hersteller — •S. Groß, C. Gößling, R. Wunstorf und J. Wüstenfeld — Uni Dortmund, Exp. Physiki IV, Otto Hahn Straße 4, 44221 Dortmund

Im Hinblick auf den Einsatz von Silizium-Detektoren in modernen Hochenergieexperimenten ist es von besonderer Bedeutung, den Einfluß von Strahlenschäden auf die Detektoreigenschaften zu minimieren. Neben den bereits ausgiebig untersuchten Kristalldefekten spielen dabei prozeß- und damit herstellerabhängige Oberflächeneigenschaften eine wichtige Rolle. Zur systematischen Analyse der hersteller- und prozeßspezifischen Unterschiede wurde der Siliziumoxid-Silizium-Grenzbereich sowohl vor als auch nach Bestrahlung untersucht. Diese Messungen wurden an einer speziell entwickelten Gate-Controlled-Diode-Struktur durchgeführt und die Bestrahlung wurde mit niederenergetischen Elektronen vorgenommen, da diese keine Kristallschäden verursachen. Im Einzelnen wurden die Grenzflächenzustandsdichte sowie die Änderung der Dichte der positiven Ladungsträger im Oxid in ihrer Dosisabhängigkeit untersucht. Von besonderer Bedeutung sind dabei prozeßbedingte Unterschiede im Sättigungsverhalten als auch die Abhängigkeit von der während der Bestrahlung anliegenden Spannung. Die Ergebnisse dieser Untersuchungen, die für die Optimierung der Prozesse und des Designs interessant sind, werden vorgestellt.