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Dienstag, 28. März 2000

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Di, 08:30–09:30 H1 PV II 08:30 None P Q a P 08:30 Q a
08:30 None P Q b P 08:30 Q b
Di, 09:30–11:10 H11 DF 3: Elektrische und optische Eigenschaften III 09:30 None Q PPP a Q 09:30 PPP a
09:30 None Q PPP b Q 09:30 PPP b
Di, 09:30–10:45 H31 DS 11: In-situ-Charakterisierung III 09:30 None QP T a QP 09:30 T a
09:30 None QP T b QP 09:30 T b
Di, 09:30–10:15 H32 DS 15: Plasma- und Ionentechniken I 09:30 None QP W a QP 09:30 W a
09:30 None QP W b QP 09:30 W b
Di, 09:30–17:30 Poster B DS 38: Postersitzung 09:30 None QP ^QP a QP 09:30 ^QP a
09:30 None QP ^QP b QP 09:30 ^QP b
Di, 09:30–11:00 H2 DY 20: Struktur und Chaos 09:30 None QPP RPQ a QPP 09:30 RPQ a
09:30 None QPP RPQ b QPP 09:30 RPQ b
Di, 09:30–10:30 H3 DY 21: Quantenmechanische und klassische Statistik 09:30 None QPP RPR a QPP 09:30 RPR a
09:30 None QPP RPR b QPP 09:30 RPR b
Di, 09:30–13:30 H15 HL 13: Symposium: Der Quanten-Hall-Effekt wird 20 (I) 09:30 None QPPP SP a QPPP 09:30 SP a
09:30 None QPPP SP b QPPP 09:30 SP b
Di, 09:30–13:00 H13 HL 14: Optische Eigenschaften 09:30 None QPPP T a QPPP 09:30 T a
09:30 None QPPP T b QPPP 09:30 T b
Di, 09:30–13:00 H14 HL 15: Photovoltaik I 09:30 None QPPP U a QPPP 09:30 U a
09:30 None QPPP U b QPPP 09:30 U b
Di, 09:30–13:00 H17 HL 16: Störstellen/Grenz- und Oberfl
ächen I		 09:30 None QPPP UP a QPPP 09:30 UP a
09:30 None QPPP UP b QPPP 09:30 UP b
Di, 09:30–10:00 H16 M III: HV III 09:30 None QPPPPP Q a QPPPPP 09:30 Q a
09:30 None QPPPPP Q b QPPPPP 09:30 Q b
Di, 09:30–10:15 H36 O 12: Hauptvortrag 09:30 None QPPQ XP a QPPQ 09:30 XP a
09:30 None QPPQ XP b QPPQ 09:30 XP b
Di, 09:30–12:15 H20 TT 8: Josephson-Kontakte und SQUIDs II 09:30 None QPPQP T a QPPQP 09:30 T a
09:30 None QPPQP T b QPPQP 09:30 T b
Di, 09:30–11:30 H10 SYOM 0: Hauptvorträge 09:30 None SP P a SP 09:30 P a
09:30 None SP P b SP 09:30 P b
Di, 10:00–13:00 H18 TT 9: Mesoskopische Systeme 10:00 None QPPQP TP a QPPQP 10:00 TP a
10:00 None QPPQP TP b QPPQP 10:00 TP b
Di, 10:00–11:20 H\"orsaal 47 VA 4: Beschichtungstechnik 10:00 None QPQ R a QPQ 10:00 R a
10:00 None QPQ R b QPQ 10:00 R b
Di, 10:15–12:45 H16 M 6: Struktur und Umwandlung II 10:15 None QPPPPP T a QPPPPP 10:15 T a
10:15 None QPPPPP T b QPPPPP 10:15 T b
Di, 10:15–12:30 H6 M 7: Atomare Fehlstellen 10:15 None QPPPPP TP a QPPPPP 10:15 TP a
10:15 None QPPPPP TP b QPPPPP 10:15 TP b
Di, 10:15–11:00 H36 O 13: Hauptvortrag 10:15 None QPPQ XPP a QPPQ 10:15 XPP a
10:15 None QPPQ XPP b QPPQ 10:15 XPP b
Di, 10:30–11:15 H32 DS 16: Plasma- und Ionentechniken II 10:30 None QP X a QP 10:30 X a
10:30 None QP X b QP 10:30 X b
Di, 10:30–12:15 H19 TT 10: Supraleitung: Theorie 10:30 None QPPQP U a QPPQP 10:30 U a
10:30 None QPPQP U b QPPQP 10:30 U b
Di, 10:45–11:30 H31 DS 12: Sonstiges I 10:45 None QP U a QP 10:45 U a
10:45 None QP U b QP 10:45 U b
Di, 11:00–12:45 H2 DY 22: Granulare Materie I 11:00 None QPP RPRP a QPP 11:00 RPRP a
11:00 None QPP RPRP b QPP 11:00 RPRP b
Di, 11:00–13:00 H3 DY 23: Magnetismus und Spinsysteme 11:00 None QPP RPRPP a QPP 11:00 RPRPP a
11:00 None QPP RPRPP b QPP 11:00 RPRPP b
Di, 11:15–11:30 H32 DS 17: Plasma- und Ionentechniken III 11:15 None QP Y a QP 11:15 Y a
11:15 None QP Y b QP 11:15 Y b
Di, 11:15–13:15 H36 O 14: Adsorption an Oberflächen (III) 11:15 None QPPQ XPPP a QPPQ 11:15 XPPP a
11:15 None QPPQ XPPP b QPPQ 11:15 XPPP b
Di, 11:15–12:45 H37 O 15: Elektronische Struktur (I) 11:15 None QPPQ XPQ a QPPQ 11:15 XPQ a
11:15 None QPPQ XPQ b QPPQ 11:15 XPQ b
Di, 11:15–13:00 H44 O 16: Rastersondentechniken (II) 11:15 None QPPQ XQ a QPPQ 11:15 XQ a
11:15 None QPPQ XQ b QPPQ 11:15 XQ b
Di, 11:15–13:30 H45 O 17: Oberflächenreaktionen (I) 11:15 None QPPQ XR a QPPQ 11:15 XR a
11:15 None QPPQ XR b QPPQ 11:15 XR b
Di, 11:20–12:20 H\"orsaal 47 VA 5: Vakuummesstechnik II: Partialdruckmessung 11:20 None QPQ S a QPQ 11:20 S a
11:20 None QPQ S b QPQ 11:20 S b
Di, 11:30–12:50 H11 DF 4: Phasenübergänge 11:30 None Q Q a Q 11:30 Q a
11:30 None Q Q b Q 11:30 Q b
Di, 11:30–13:00 H22 AM 10: Dünne Schichten I: Wachstum und Domänenstruktur 11:30 None QPPPP SPP a QPPPP 11:30 SPP a
11:30 None QPPPP SPP b QPPPP 11:30 SPP b
Di, 11:30–12:15 H10 SYOM 1: Oberflächenmagnetismus I 11:30 None SP Q a SP 11:30 Q a
11:30 None SP Q b SP 11:30 Q b
Di, 12:15–13:00 H10 SYOM 2: Oberflächenmagnetismus II 12:15 None SP R a SP 12:15 R a
12:15 None SP R b SP 12:15 R b
Di, 14:00–16:30 H10 AM 11: Dünne Schichten II: Austauschkopplung 14:00 None QPPPP SPQ a QPPPP 14:00 SPQ a
14:00 None QPPPP SPQ b QPPPP 14:00 SPQ b
Di, 14:00–16:15 H22 AM 12: Mikromagnetismus, Magnetisierungsprozesse und Domänenstrukturen II 14:00 None QPPPP T a QPPPP 14:00 T a
14:00 None QPPPP T b QPPPP 14:00 T b
Di, 14:00–14:45 H36 O 200: Gaedepreis-Vortrag 14:00 None QPPQ _Q a QPPQ 14:00 _Q a
14:00 None QPPQ _Q b QPPQ 14:00 _Q b
Di, 14:30–17:30 H11 DF 5: Keramiken 14:30 None Q QP a Q 14:30 QP a
14:30 None Q QP b Q 14:30 QP b
Di, 14:30–16:15 H2 DY 24: Granulare Materie II 14:30 None QPP RQ a QPP 14:30 RQ a
14:30 None QPP RQ b QPP 14:30 RQ b
Di, 14:30–18:00 H3 DY 25: Symposium Niveaustatistik und Quantenchaos 14:30 None QPP RR a QPP 14:30 RR a
14:30 None QPP RR b QPP 14:30 RR b
Di, 14:30–15:00 H16 M IV: HV IV 14:30 None QPPPPP QP a QPPPPP 14:30 QP a
14:30 None QPPPPP QP b QPPPPP 14:30 QP b
Di, 14:30–17:00 H19 TT 11: Borkarbide 14:30 None QPPQP V a QPPQP 14:30 V a
14:30 None QPPQP V b QPPQP 14:30 V b
Di, 14:30–17:30 H18 TT 12: Fachsymposium: Korngrenzen in HTSL 14:30 None QPPQP W a QPPQP 14:30 W a
14:30 None QPPQP W b QPPQP 14:30 W b
Di, 15:00–16:00 H31 DS 13: Nanostrukturen 15:00 None QP V a QP 15:00 V a
15:00 None QP V b QP 15:00 V b
Di, 15:00–15:45 H32 DS 18: Plasma- und Ionentechniken IV 15:00 None QP Z a QP 15:00 Z a
15:00 None QP Z b QP 15:00 Z b
Di, 15:00–19:15 H15 HL 17: Symposium: Der Quanten-Hall-Effekt wird 20 (II) 15:00 None QPPP V a QPPP 15:00 V a
15:00 None QPPP V b QPPP 15:00 V b
Di, 15:00–18:45 H14 HL 18: Halbleiterlaser 15:00 None QPPP VP a QPPP 15:00 VP a
15:00 None QPPP VP b QPPP 15:00 VP b
Di, 15:00–19:00 H13 HL 19: GaN I 15:00 None QPPP VPP a QPPP 15:00 VPP a
15:00 None QPPP VPP b QPPP 15:00 VPP b
Di, 15:00–19:00 H17 HL 20: Ultrakurzzeitdynamik I 15:00 None QPPP VPPP a QPPP 15:00 VPPP a
15:00 None QPPP VPPP b QPPP 15:00 VPPP b
Di, 15:00–16:00 H36 O 18: Epitaxie und Wachstum (III) 15:00 None QPPQ XRP a QPPQ 15:00 XRP a
15:00 None QPPQ XRP b QPPQ 15:00 XRP b
Di, 15:00–17:15 H20 TT 13: Korrelierte Elektronen I 15:00 None QPPQP WP a QPPQP 15:00 WP a
15:00 None QPPQP WP b QPPQP 15:00 WP b
Di, 15:00–16:40 H\"orsaal 47 VA 6: Ausgasung und Oberfl
ächen		 15:00 None QPQ SP a QPQ 15:00 SP a
15:00 None QPQ SP b QPQ 15:00 SP b
Di, 15:15–18:30 H16 M 8: Struktur und Umwandlung III 15:15 None QPPPPP TPP a QPPPPP 15:15 TPP a
15:15 None QPPPPP TPP b QPPPPP 15:15 TPP b
Di, 15:15–18:30 H6 M 9: Amorphe und metastabile Metalle 15:15 None QPPPPP U a QPPPPP 15:15 U a
15:15 None QPPPPP U b QPPPPP 15:15 U b
Di, 15:45–16:15 H32 DS 19: Plasma- und Ionentechniken V 15:45 None QP ZP a QP 15:45 ZP a
15:45 None QP ZP b QP 15:45 ZP b
Di, 16:00–20:00 A AM 13: Postersitzung: Dünne Schichten (1–22), Magnetowiderstand (23–40), Phasenübergänge (41–55), Mikromagnetismus (56–68), Spektroskopie (69–77), Nanokristalline Materialien (78–82), Anisotropie (83–86), Schmelzen (87–90), Weitere Bereiche (91–100) 16:00 None QPPPP TP a QPPPP 16:00 TP a
16:00 None QPPPP TP b QPPPP 16:00 TP b
Di, 16:15–17:00 H31 DS 14: Schichtcharakterisierung I 16:15 None QP VP a QP 16:15 VP a
16:15 None QP VP b QP 16:15 VP b
Di, 16:15–19:15 H36 O 19: Epitaxie und Wachstum (IV) 16:15 None QPPQ Y a QPPQ 16:15 Y a
16:15 None QPPQ Y b QPPQ 16:15 Y b
Di, 16:15–19:15 H37 O 20: Elektronische Struktur (II) 16:15 None QPPQ Z a QPPQ 16:15 Z a
16:15 None QPPQ Z b QPPQ 16:15 Z b
Di, 16:15–19:15 H44 O 21: Oberflächenreaktionen (II) 16:15 None QPPQ ZP a QPPQ 16:15 ZP a
16:15 None QPPQ ZP b QPPQ 16:15 ZP b
Di, 16:30–17:30 H32 DS 20: Plasma- und Ionentechniken VI 16:30 None QP ZQ a QP 16:30 ZQ a
16:30 None QP ZQ b QP 16:30 ZQ b
Di, 17:00–17:45 H2 DY 26: Fluktuationsinduzierte Ordnung 17:00 None QPP S a QPP 17:00 S a
17:00 None QPP S b QPP 17:00 S b
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