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AM: Magnetismus

AM 1: Mikromagnetismus, Magnetisierungsprozesse und Domänenstrukturen I

AM 1.11: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:15–12:30, H10

Untersuchungen zum Ummagnetisierungsverhalten und der mikromagnetischen Bereichsstruktur von Tunnelmagnetowiderstands-Elementen (TMR). — •Josef Zweck¹, Gernot Seybold¹, Joachim Wecker² und Horst Hoffmann¹ — ¹Inst. f. Experimentelle und Angewandte Physik, Universiät Regensburg — ²Siemens AG, Erlangen

MRAM-Bausteine (Magnetic Random Access Memory) bestehen aus einer Abfolge von magnetischen und nichtmagnetischen Lagen mit wohldefinierten magnetischen Eigenschaften. Die mikromagnetische Bereichsstruktur der magnetischen Lagen bestimmt sowohl die Tunneleigenschaften als auch das zeitliche Umschalt- (Ummagnetisierungs-) Verhalten.

Wir präparieren lateral ausgedehnte und auch mikrostrukturierte MRAM-Tunnelelemente auf elektronentransparenten Si3N4-Membranen und studieren das Verhalten der mikromagnetischen Bereichsstrukturen beim Anlegen externer magnetischer Felder im Regensburger Lorentz-Elektronenmikroskop. Untersuchungen zur Homogenität der mikromagnetischen Bereiche werden vorgestellt. Durch Untersuchungen an sukzessive aufgebauten Tunnelstrukturen lassen sich die Strukturen in unterschiedlichen Lagen separieren.