Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

AM: Magnetismus

AM 11: Dünne Schichten II: Austauschkopplung

AM 11.9: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 16:15–16:30, H10

Einfluss des Ionenbeschusses auf den Exchange-Bias-Effekt — •T. Mewes, A. Mougin, J. Fassbender, R. Lopusnik, M. Jung, D. Engel, A. Ehresmann, H. Schmoranzer und B. Hillebrands — Fachbereich Physik, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str. 56, 67663 Kaiserslautern

Wird ein Exchange-Bias-Schichtsystem, bestehend aus einem Ferromagneten (F) und einem Antiferromagneten (AF) nach der Präparation über die Néel-Temperatur des AF aufgeheizt und anschliessend im angelegten Magnetfeld wieder unter die Néel-Temperatur gekühlt, so findet man eine bzgl. der Nullfeld-Lage verschobene Hysteresekurve. In vielen Exchange-Bias-Systemen geht damit eine Erhöhung des Koerzitivfeldes einher. Als Ursache dieses Effektes gilt die Austauschkopplung an der Grenzfläche zwischen dem AF und F. Aufgrund des Grenzflächencharakters des Exchange-Bias-Effektes ist bei einer strukturellen bzw. elektronischen Modifikation der Grenzfläche auch eine Veränderung des Exchange-Bias-Effektes zu erwarten.
Zur Untersuchung dieses Effektes wurden polykristalline FeNi/FeMn-Proben mittels Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt und mit He⁺-Ionen beschossen. Es wird gezeigt, daß als Funktion der Ionendosis und -energie eine Verringerung des Exchange-Bias-Effektes bis hin zur vollständigen Unterdrückung erreicht werden kann. Die Ursache dieses Effekts kann mit Hilfe der von den Ionen hervorgerufenen Elektronenanregungen und Schädigungen der Grenzfläche erklärt werden.