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AM: Magnetismus
AM 13: Postersitzung: Dünne Schichten (1–22), Magnetowiderstand (23–40), Phasenübergänge (41–55), Mikromagnetismus (56–68), Spektroskopie (69–77), Nanokristalline Materialien (78–82), Anisotropie (83–86), Schmelzen (87–90), Weitere Bereiche (91–100)
AM 13.28: Poster
Dienstag, 28. März 2000, 16:00–20:00, A
Transportmessungen an UV-oxidierten Tunnelmagnetowiderstandselementen — •Peter Rottländer1, H. Kohlstedt1, E. Girgis2, J. Schelten2 und P. Grünberg1 — 1Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 2Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich
Der Tunnelmagnetowiderstand (TMR) ist seit einigen Jahren Gegenstand
intensiver Forschung. Die in-situ-Oxidation mit Unterstützung
durch UV-Licht ermöglicht, auf einfache Weise Tunnelbarrieren
mit Flächenwiderständen im Bereich von 1 kΩ µm2
herzustellen. Es werden Transportmessungen an solchen
Tunnelkontakten vorgestellt. Aus den Ergebnissen lassen sich
Rückschlüsse auf die Oxidation ziehen: So ist die
UV-unterstützte Oxidation selbstlimitierend.
Daneben werden Simulationen zur Stromverteilung in
Tunnelkontakten unterschiedlicher Geometrie gezeigt. Es wird auf
deren Konsequenzen bei der Bestimmung des Widerstandes und des
TMR-Effektes eingegangen.