Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
AM: Magnetismus
AM 13: Postersitzung: Dünne Schichten (1–22), Magnetowiderstand (23–40), Phasenübergänge (41–55), Mikromagnetismus (56–68), Spektroskopie (69–77), Nanokristalline Materialien (78–82), Anisotropie (83–86), Schmelzen (87–90), Weitere Bereiche (91–100)
AM 13.34: Poster
Tuesday, March 28, 2000, 16:00–20:00, A
Herstellung von Tunnel-Magnetowiderstands-Strukturen mit Hilfe von Atomstrahl-Oxidation — •B.F.P. Roos, S.O. Demokritov und B. Hillebrands — Fachbereich Physik, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str. 56, 67663 Kaiserslautern
Zur Herstellung von Tunnel-Magnetowiderstands (TMR)-Strukturen
wirdein neues Verfahren
zur Herstellung von Tunnelbarrieren mittels Oxidation von Metallen mit
Hilfe eines ionisierten Atomstrahls vorgestellt.
Die Oxidation findet auf Grund der hohen Reaktivität der ionisierten
Atome in sehr kurzer Zeit bei
geringem Druck statt. Dadurch wird eine Verunreinigung der
Barrierenschicht weitgehend verhindert.
Durch eine geeignete Wahl der Atomstrahlenergien kann die Oxidationstiefe
variiert werden, wodurch die
Oxidation der ferromagnetischen Elektroden, und damit die Reduktion der
Spinpolarisation an der
Grenzfläche verringert werden kann. Beimischen von Ar-Ionen in den
Atomstrahl kann zu einer
Verringerung der Oberflächenrauhigkeit der Barrierenschicht führen.
Neben theoretischen und experimentellen Untersuchungen zur Oxidation mit
Atomstrahlen, wurden die
Eigenschaften der so hergestellten TMR-Strukturen untersucht.