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AM: Magnetismus

AM 13: Postersitzung: Dünne Schichten (1–22), Magnetowiderstand (23–40), Phasenübergänge (41–55), Mikromagnetismus (56–68), Spektroskopie (69–77), Nanokristalline Materialien (78–82), Anisotropie (83–86), Schmelzen (87–90), Weitere Bereiche (91–100)

AM 13.34: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 16:00–20:00, A

Herstellung von Tunnel-Magnetowiderstands-Strukturen mit Hilfe von Atomstrahl-Oxidation — •B.F.P. Roos, S.O. Demokritov und B. Hillebrands — Fachbereich Physik, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str. 56, 67663 Kaiserslautern

Zur Herstellung von Tunnel-Magnetowiderstands (TMR)-Strukturen wirdein neues Verfahren zur Herstellung von Tunnelbarrieren mittels Oxidation von Metallen mit Hilfe eines ionisierten Atomstrahls vorgestellt. Die Oxidation findet auf Grund der hohen Reaktivität der ionisierten Atome in sehr kurzer Zeit bei geringem Druck statt. Dadurch wird eine Verunreinigung der Barrierenschicht weitgehend verhindert. Durch eine geeignete Wahl der Atomstrahlenergien kann die Oxidationstiefe variiert werden, wodurch die Oxidation der ferromagnetischen Elektroden, und damit die Reduktion der Spinpolarisation an der Grenzfläche verringert werden kann. Beimischen von Ar-Ionen in den Atomstrahl kann zu einer Verringerung der Oberflächenrauhigkeit der Barrierenschicht führen.
Neben theoretischen und experimentellen Untersuchungen zur Oxidation mit Atomstrahlen, wurden die Eigenschaften der so hergestellten TMR-Strukturen untersucht.