Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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AM: Magnetismus
AM 13: Postersitzung: Dünne Schichten (1–22), Magnetowiderstand (23–40), Phasenübergänge (41–55), Mikromagnetismus (56–68), Spektroskopie (69–77), Nanokristalline Materialien (78–82), Anisotropie (83–86), Schmelzen (87–90), Weitere Bereiche (91–100)
AM 13.90: Poster
Dienstag, 28. März 2000, 16:00–20:00, A
Chemische Bindung und Magnetismus der Cer-Verbindungen CeTX (T = Rh, Ir; X = Al, Ga) — •Ulrich Burkhardt1, Walter Schnelle1, Olga Sichevych2 und Yuri Grin1 — 1Max-Planck-Institut für Chemische Physik fester Stoffe, Dresden — 2Ukrainian State Forest Academy, Lviv, Ukraine
Die vier untersuchten Phasen besitzen ähnliche Kristallstrukturen, so daß die Ersetzung homologer Elemente sich dazu eignet den Einfluß auf den Valenz-Zustand des Cers zu untersuchen. Die Gallide kristallisieren im TiNiSi-Strukturtyp (Pearson oP12, Raumgruppe Pnma) [1], die Aluminide sind zu Pd2(MnPd)Ge2 (oP24, Pnma) isotyp. Wesentliche Strukturfragmente wie die tetraedrische Anordnung von 4 Rh-nächste-Nachbarn des Ga und die Verteilung der 5 nächsten Rh-Nachbarn des Cers (quadratische Pyramide) bleiben bei der chemischen Ersetzung erhalten. Die magnetischen Suszeptibilitäten (T>100 K) werden gut durch das Curie-Weiss Gesetz plus χ0 beschrieben. CeIrAl zeigt höhere µeff- und Θ-Werte die anderen Phasen (CeRhAl: µeff = 1.6 µB, Θ = −103 K; CeIrAl: 0.6 µB/30 K; CeRhGa: 0.4 µB/27 K; CeIrGa: 0.6 µB/33 K). Bei tieferen Temperaturen wurde für die Ir-Phasen und für CeRhGa ein metamagnetisches Verhalten festgestellt. Zur Beschreibung der chemischen Bindung wurde die Elektronen-Lokalisierungs-Funktion (ELF) für CeRhAl mit Hilfe der TB-LMTO-ASA Methode berechnet. Hierbei zeigen sich sowohl zwischen Ce und Rh-Atomen als auch im Rh-Al Netzwerk kovalente Wechselwirkungen. Der Zusammenhang zwischen Struktur, Magnetismus und chemischer Bindung wird diskutiert.
[1] F. Hulliger, J. Alloys Comp. 239 (1996), 131-4