Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

AM: Magnetismus

AM 13: Postersitzung: Dünne Schichten (1–22), Magnetowiderstand (23–40), Phasenübergänge (41–55), Mikromagnetismus (56–68), Spektroskopie (69–77), Nanokristalline Materialien (78–82), Anisotropie (83–86), Schmelzen (87–90), Weitere Bereiche (91–100)

AM 13.92: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 16:00–20:00, A

Magnetische Anisotropie von Fe (110) auf in-situ (110) Spaltflächen von GaAs — •M. Zölfl, F. Bensch, R. Moosbühler, W. Wegscheider und G. Bayreuther — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

In einer Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage wurden GaAs-(001)-Wafer in situ entlang der (110)-Richtung gespalten und mittels reflection high energy electron diffraction (RHEED) und einem in-situ Rastertunnelmikroskop (STM) untersucht. Die dabei entstehende Spaltfläche stellt eine nahezu perfekte GaAs(110) Oberfläche dar mit mehr als 2 µ m ausgedehnten atomar glatten Terrassen.
Auf dieser wurde eine Stufenkeilschicht mit 7, 14, 21, 28 und 35 ML Fe mit einer Aufdampfrate von 1 ML/min bei Zimmertemperatur abgeschieden und anschließend mit 20 ML Au zum Schutz vor Oxidation abgedeckt. Mittels longitudinalem magneto-optischen Kerr-Effekt (MOKE) wurden die Fe Schichten hinsichtlich ihrer magnetischen in-plane-Anisotropie untersucht. Mit abnehmender Schichtdicke wurde ein Reorientierungsübergang der leichten Achse von (100)- zur (110)-Richtung zwischen 7 und 14 ML gefunden. Dieser war in früheren Arbeiten zwischen 25 und 50 ML beobachtet worden [1]. Dieses Verhalten wird anhand der verschiedenen Anisotropiebeiträge diskutiert. Die vorliegende Arbeit wurde unterstützt vom BmBF (Fördernr. 13N7334/7).

[1] G.A.Prinz, G.T.Rado, and J.J.Krebs, J.Appl.Phys. 53(3),2087(1982)