Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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AM: Magnetismus
AM 14: Magnetowiderstand I: Manganate
AM 14.7: Vortrag
Mittwoch, 29. März 2000, 15:45–16:00, H10
Spannungsabhängigkeit des magnetoresistiven Effektes von Korngrenzen in dotierten Manganaten — •Jan Boris Philipp, Conrad Höfener, Jürgen Klein, Achim Marx, Lambert Alff und Rudolf Gross — II. Physikalisches Institut, Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität zu Köln, Zülpicher Str. 77, D - 50937 Köln
Der Tunnelmagnetowiderstand (TMR) von Einzelkorngrenzen in epitaktischen Filmen aus dotierten Manganaten der Zusammensetzung La2/3D1/3MnO3 mit D= Ca, Sr und Ba zeigt eine starke Spannungsabhängigkeit. Die Abnahme des TMR mit steigender Spannung und die beobachteten nicht-linearen Strom-Spannungs-Kennlinien lassen sich gut verstehen, wenn man Tunnelprozesse über Zwischenzustände in der isolierenden Korngrenzenbarriere berücksichtigt [1]. Der TMR nimmt dabei proportional zur Zunahme inelastischer Transportprozesse über die Barriere ab, da bei diesen Prozessen die Spinpolarisation der tunnelnden Ladungsträger nicht erhalten bleibt. Unsere Messungen werden im Rahmen eines erweiterten Jullière-Modells, das spinunabhängige, inelastische Tunnelprozesse berücksichtigt, diskutiert [2]. Unsere Ergebnisse weisen darauf hin, dass die Ursache für die starke Spannungsabhängigkeit des TMR der Korngrenzen in einer unvollkommenen Tunnelbarriere, die eine hohe Dichte an Defektzuständen enthält, zu finden ist.
[1] J. Klein et al., Europhys. Lett. 47, 371 (1999).
[2] C. Höfener et al., submitted to Phys. Rev. Lett..
Gefördert durch die DFG.