Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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AM: Magnetismus

AM 18: Magnetowiderstand II: Oxide und Tunnelmagnetowiderstand

AM 18.13: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 12:30–12:45, H10

Wachstum und Tunnelmagnetowiderstand von Co/Al-Oxid/Co/H-Si(111) — •J.O. Hauch, U. May, H. Kittur, M. Fonine, J.M. Choi, K. Veedu, K. Samm, U. Rüdiger und G. Güntherodt — 2. Phys. Institut der RWTH Aachen, Templergraben 55, 52056 Aachen

Mittels Elektronenbeugung (RHEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) wurde das Wachstum von Kobalt (Co) auf H-Si(111) und Aluminium (Al) auf Co/H-Si(111) untersucht. Für Co/H-Si(111) findet man ein clusterartiges Wachstum mit Clusterdurchmessern von ca. 4nm (Bedeckung ca. 1 Monolage) bis ca. 15nm (Schichtdicke = 20nm). Dieses Wachstum führt zu einer peak-to-peak Rauhigkeit der Co-Schicht von ca. 2nm, was die Anwendung in Tunnelmagnetowiderstandszellen erschwert. Bei Erhöhung der Substrattemperatur setzt neben Glättung der Co-Schicht auch Co-Silizidbildung ein, die mittels Augerspektroskopie nachgewiesen wurde. Verwendung einer Silberschicht als „Bufferlayer“  zwischen Si-Substrat und Co-Schicht führt zu (111)-texturiertem Wachstum von Co, was mittels LEED und RHEED nachgewiesen wurde.
Zur Oxidation der Al-Schicht wurden UV-unterstützte und Ozon-Oxidation verwendet. Die Oxidationstiefe wurde mittels Augertiefenprofilanalyse in Funktion der Oxidationsdauer untersucht. Der Einfluß der Struktur (Wachstums- und Oxidationsparameter) des Schichtsystems auf den Tunnelmagnetowiderstand wird diskutiert.
Unterstützt durch DFG/SFB 341.