Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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AM: Magnetismus
AM 18: Magnetowiderstand II: Oxide und Tunnelmagnetowiderstand
AM 18.5: Vortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 10:30–10:45, H10
Lorentzmikroskopische Untersuchungen zum Ummagnetisierungsverhalten von strukturierten TMR-Schichten — •Sonia Henzelmann1, Horst Hoffmann1, Josef Zweck1 und Joachim Wecker2 — 1Universität Regensburg, NWF II, Universitätsstrasse 31, 93053 Regensburg — 2Siemens AG, Paul-Gossen-Strasse 100, 91052 Erlangen
In nichtflüchtigen magnetischen Speichern (MRAMs) ist das Ummagnetisierungs-verhalten der Topelektrode, welches die relative Widerstandsänderung des TMR-Elements bestimmt, ausschlaggebend für die Funktionalität dieses zukünftigen Speichermediums.
Die Untersuchungen erfolgten im Lorentzmodus eines Transmissions-elektronenmikroskop mit Hilfe eines in Regensburg entwickelten Probenhalters, der beliebige inplane Felder in zeitlich definiertem Verlauf in der Probe erzeugt.
Es werden Ergebnisse des Responseverhaltens der Topelektrode sowie des gesamten TMR-Elements auf verschiedene Magnetfeldparameter präsentiert.
Hierbei erfolgten die Messungen an unterschiedlich strukturierten TMR-Elementen in Grössenordnungen von etwa 200 nm bis hin zu einigen µm.