Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

AM: Magnetismus

AM 18: Magnetowiderstand II: Oxide und Tunnelmagnetowiderstand

AM 18.6: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 10:45–11:00, H10

Ab-initio Berechnungen zum Tunneln durch eine MgO-Barriere auf Fe(001) — •D. Wortmann¹, S. Heinze^1,2, G. Bihlmayer¹ und S. Blügel¹ — ¹Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — ²Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, 20355 Hamburg

Der Tunnel-Magneto-Widerstandseffekt (TMR) an einem Multilagensytem aus einem ultradünnen magnetischen Film und einem Nichtleiter wurde in den letzten Jahren ausgiebig untersucht. Aufgrund des komplizierten Zusammenspiels von Grenzflächenbildung und elektronischer Struktur stellen sich jedoch viele theoretische Probleme, die noch größtenteils ungelöst sind. Insbesondere die Bildung der Grenzflächen scheint von besonderer Bedeutung für die Transporteigenschaften zu sein.

Eine geeignete Methode zur Untersuchung des Zusammenhangs zwischen der Bildung der Oxid-Grenzschicht und der Polarisation des Tunnelstroms stellt das spin-polarisierte STM dar.

Im Vortrag werden Berechnungen, mittels Dichtefunktionaltheorie, der elektronischen und magnetischen Struktur der MgO/Fe Grenzfläche vorgestellt. Weiterhin wurde der STM-Tunnelstrom in der Bardeenschen Näherung für magnetische Fe-Spitzen berechnet. Tunnelstrom und Polarisation werden mit der lokalen Zustandsdichte von Probe und Spitze in Beziehung gesetzt. Außerdem werden Berechnungen des Tunnelstroms durch einen planaren Fe/Vakuum/MgO/Fe Tunnelkontakt präsentiert, die sowohl den TMR-Effekt als auch spin-polarisierte Rastertunnel-Spektroskopie mittels flacher Spitzen modellieren.