Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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AM: Magnetismus
AM 18: Magnetowiderstand II: Oxide und Tunnelmagnetowiderstand
AM 18.8: Vortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 11:15–11:30, H10
Tunnelmagnetowiderstand in Al2O3-Doppelbarrieren — •A. Thomas, M. Justus, J. Schmalhorst, H. Brückl und G. Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik D2, Universitätsstraße 25, 33615 Bielefeld
Bei durch Magnetron Sputtern hergestellten ferromagnetischen Tunnelelementen (Co/Al2O3/Co) wurden magnetische Zwischenlagen in die Barriere eingefügt. Die Signalhöhe und das Schaltverhalten des Tunnelmagnetowiderstands hängen dabei empfindlich von der Dicke der Zwischenlage ab.
Die gefundenen Effekte lassen sich im wesentlichen in drei Bereiche aufteilen: Störstellenstreuung bei sehr geringen Schichtdicken, Tunneln über eine granulare Schicht mit superparamagnetischem Verhalten und Doppelbarrieren mit ferromagnetischem Verhalten der Zwischenschicht.
Quantitative Parameter wie Barrierenhöhe, -dicke und -asymmetrie erhalten wir durch Anpassung an einfache Tunnelmodelle. Die Veränderung dieser Parameter werden im Kontext spinabhängiger Streuung der Tunnelelektronen diskutiert.