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AM: Magnetismus

AM 21: Magnetowiderstand III: GMR

AM 21.3: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 15:00–15:15, H10

Eigenschaften von Spin-Valve-Systemen mit natürlichen Antiferromagneten — •D. Tietjen¹, L. van Loyen¹, D. Elefant¹, R. Kaltofen¹, S. Zotova² und C.M. Schneider¹ — ¹IFW Dresden, Helmholtzstraße 20, 01069 Dresden — ²IE-BAS, Tzarigradsko Chaussee 77, 1784 Sofia, Bulgarien

Der Trend zur Miniaturisierung und Integration erfordert die Verwendung neuartiger physikalischer Effekte. Bei Massenspeichern für die Computerindustrie hat die Verwendung von Spinvalve–Leseköpfen bereits zu einer beschleunigten Erhöhung der Speicherdichte geführt. Die Verwendung in der Analogtechnik, z.B. in der Sensorik, steht jedoch noch weitgehend in den Anfängen.

Mittels RF- und DC-Magnetronsputtern wurden Permalloy (Ni₈₀ Fe₂₀) basierte Spinvalve-Systeme auf thermisch oxidiertem SiO_x präpariert, die als Antiferromagneten NiO oder FeMn zur Erzeugung einer unidirektionalen Anisotropie verwenden.

Durch Depositon im Magnetfeld oder durch Erwärmung über die ’Blocking’-Temperatur, die in unseren Systemen signifikant unter der Neel-Temperatur des Antiferromagneten liegt, konnte in das System eine Ausrichtung eingeprägt werden. Diese widersteht bei Raumtemperatur einem Feld von 1T. Die Messungen des Magnetowiderstandes, auch in Abhängigkeit vom Winkel zur Ausrichtung, ermöglichen zusammen mit dem magnetooptischen Kerreffekt Rückschlüsse auf die Kopplung der Schichten untereinander.