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AM: Magnetismus
AM 21: Magnetowiderstand III: GMR
AM 21.5: Vortrag
Donnerstag, 30. März 2000, 15:30–15:45, H10
Hoher Magnetowiderstand nahe der Schaltfelder dünner Kobalt-Filme — •F. Wiekhorst, W. Gil, D. Görlitz und J. Kötzler — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg
Nahe der magnetischen Schaltfelder von zwischen 10 nm und 200 nm dicken Filmen, 2 mT ≤ Bs ≤ 7 mT, beobachteten wir einen sehr hohen Magnetowiderstand (MW), d(R/R0) / dB ≤ 0.1 mT−1. Das asymptotische Verhalten des MWs für |B| ≫ Bs legt die anisotrope Spin-Bahn-Streuung als grundlegenden Mechanismus nahe. Die Details des Effektes nahe Bs, insbesondere die starke Abhängigkeit des MWs von den relativen Orientierungen von B→, der Stromrichtung und dem mit ferromagnetischer Resonanz gemessenen uniaxialen Anisotropiefeld Bx→ werden untersucht und diskutiert.