Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

AM: Magnetismus

AM 21: Magnetowiderstand III: GMR

AM 21.6: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 15:45–16:00, H10

Wechselwirkung unterschiedlicher antiferromagnetischer Kopplungen in Cu/Py-Kombinationsschichten — •S. Heitmann, A. Hütten und G. Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld

Das Zusammenspiel unterschiedlicher antiferromagnetischer Kopplungen und die daraus resultierende Entwicklung des Riesenmagnetowiderstandes (GMR) gesputterter Kombinationsmehrlagenschichten (CML) des Types Py_{1.8 nm} // {(Cu_1.8nm / Py_1.6nm )_N / (Cu_0.9nm / Py_1.6nm )_N}_Y mit (Py=Ni₈₁Fe₁₉) wurde als Funktion der Temperatur untersucht. Es zeigt sich, daß die GMR-Kennlinien dieser CML aus der Kenntnis der physikalischen Eigenschaften wie GMR-Effektamplituden, Doppellagenleitwerte, bilineare und biquadratische Kopplungskonstanten der kombinierten Basissysteme {Cu/Py}_N am ersten (Cu_0.9nm) und zweiten (Cu_1.8nm) antiferromagnetischen Kopplungsmaximum (AFCM) vorhergesagt werden können. Die Entwicklung der CML-Kennlinien als Funktion der Temperatur wird diskutiert. Darüber hinaus wird gezeigt, daß diese CML technologisch den Vorteil bieten, die bessere Temperaturstabilität des Basissystems am zweiten AFCM mit der größeren GMR-Effektamplitude des Basissystems am ersten AFCM zu kombinieren.

Diese Arbeit wird gefördert durch das BMBF (13N7379/4) als Teil des Robert Bosch GmbH Leitprojektes Magneto-Elektronik.