Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 5: Keramiken

DF 5.6: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 16:50–17:10, H11

Selektives Schalten einzelner Domaenen in (111) PZT und (100) SBT Filmen — •Zybill Christian — Physik Dept. E16, TU Muenchen, James Franck Str. 1, 85747 Garching

Blei-Zirkonat-Titanat PZT und Strontium Bismut Tantalat SBT sind als Materialien fuer FeRAM Datenspeicher sowie Ersatz von Gate-Oxiden in ferroelektrischen Transistoren von Interesse. SBT und PZT bilden als Folge der Stress-Relaxation beim PE->FE Phasenuebergang eine 3-dimensionale Domaenenstruktur, die mit SAXS, STM un TMAFM untersucht wurde. Bei erhoehtem Andruck geschaerfter C/Si Spitzen (R = 3-5 nm) im TMAFM Modus lassen sich einzelne Domaenen (d   20 nm)gezielt schalten. Da bei PZT und SBT Polarisationsumkehr und Piezoeffekt miteinanader gekoppelt sind, involviert die mechanische Aktivierung (F   1 nN, P   50 MPa) die kollektive Bewegung einzelner Domaenen. Fuer Datenspeicher laesst sich damit eine Speicherdichte von   200 GBit/inch2 realisieren.

C.E. Zybill, H. Boubekeur, P. Radojkovic, M. Schwartzkopff, E. Hartmann, F. Koch, G. Groos, B. Rezek, R. Bruchhaus, W. Wersing, Surface Science 440 (1999) 221.