Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 11: In-situ-Charakterisierung III

DS 11.1: Fachvortrag

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–09:45, H31

Ein Wachstumsmodell für TiO(2)-Schichten — •Dieter Mergel, D. Buschendorf und M. Schenkel — AG Dünnschicht-Technologie, FB-Physik, Universität GH Essen, 45117 Essen

TiO(2)-Schichten wurden mit Aufdampfen und Sputtern reaktiv unter verschiedenen Sauerstoff-Partialdrücken so abgeschieden, dass die Dichte von 3 bis 4.2 g/cm(3) variiert. Die aufgedampften Schichten sind amorph, während beim Sputtern Anatas und/oder Rutil-Strukturen entstehen, abhängig vom Ioneneintrag in die wachsende Schicht.

Der Brechungsindex wurde bestimmt und gemäss der Clausius-Mosotti-Formel in einer Lorentz-Lorenz-Darstellung aufgetragen. Die Ergebnisse bestätigen eine der kontroversen Aussagen in der Literatur über die molekulare Polarisierbarkeit. Es zeigt sich allerdings, dass die übliche Auswertung der Auftragung im Allgemeinen für dünne Schichten nicht gerechtfertigt ist, weil die Gerade nicht durch Null geht. Als Ursache wird die partikuläre Struktur dünner Schichten diskutiert.