Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
DS: Dünne Schichten
DS 11: In-situ-Charakterisierung III
DS 11.2: Fachvortrag
Tuesday, March 28, 2000, 09:45–10:00, H31
Ein Wachstumsmodell für ITO-Schichten — •Dieter Mergel, G. Ehl und D. Barthel — AG Dünnschicht-Technologie, FB-Physik, Universität GH Essen, 45117 Essen
Auf ungeheizten Substraten abgeschiedene (In,Sn)(2)O(3)-Schichten haben unter gewissen Prozessbedingungen: - eine höhere Dichte, - eine größere Gitterkonstante, - einen höheren Sauerstoff-Gehalt als der entsprechende Kristall. Diese Befunde werden durch den Einbau von Sauerstoff-Atomen in die konstitutionellen Leerstellen der Bixbyit-Struktur erklärt.
Bei einer Wärmebehandlung relaxiert das Gitter, ohne dass der mittlere Sauerstoff-Gehalt der Schichten wesentlich reduziert wird. Wir vermuten, dass der Sauerstoff-Überschuss an vorhandenen Korngrenze kondensiert und auch neue Korngrenzen bildet. Das führt teilweise zu isolierten Körnern, so dass die mit Halleffekt bestimmte Ladungsträgerdichte kleiner ist als die optisch aus der Plasmawellenlänge bestimmte.
Die Konsequenzen für andere Abscheidungsbedingungen werden diskutiert.