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DS: Dünne Schichten

DS 11: In-situ-Charakterisierung III

DS 11.4: Fachvortrag

Dienstag, 28. März 2000, 10:15–10:30, H31

Chrom auf TiO₂(110) – Benetzung und Strukturbildung — •C. Winde¹, T. Wagner¹, D.A. Bonnell² und M. Rühle¹ — ¹Max–Planck–Institut für Metallforschung, Seestraße 92, 70174 Stuttgart. — ²University of Pennsylvania, Dept. of Mat. Sci. & Eng., Philadelphia, USA

Die Sauerstoffaffinität eines Metalls beeinflußt das Benetzungsverhalten auf einer Oxidkeramikoberfläche. Das Benetzungsverhalten bei Abscheidung eines Metalls wird am Modellsystem Cr/TiO₂(110) diskutiert. In Abhängigkeit des Reduktiosgrades bilden sich geordnete Defektstrukturen auf der TiO₂(110) Oberfläche aus. Hiermit läßt sich der Einfluß der Oberfläche auf das Wachstum studieren.

Die Charakterisierung des Benetzungsverhaltens im Nanometerbereich erfolgt mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM). Elektronische Eigenschaften werden mittels Rastertunnelspektroskopie (STS) untersucht. Zur Bestimmung der Morphologie, der Orientierung und der atomaren Struktur der Grenzfläche wird hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) eingesetzt. Ortsaufgelöste Elektronen-Energieverlustspektroskopie (EELS) dient zur Bestimmung der Bindungsverhältnisse an der Grenzfläche.

Anhand der vorgestellten Ergebnisse von Chrom wird das Benetzungsverhalten auf der TiO₂(110)-Oberfläche im Vergleich zu anderen 3d-Übergangsmetallen besprochen.