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DS: Dünne Schichten
DS 11: In-situ-Charakterisierung III
DS 11.5: Fachvortrag
Tuesday, March 28, 2000, 10:30–10:45, H31
ELS/SPA-RHEED: In-situ-Charakterisierung der Oberflächenmorphologie und der elektronischen Eigenschaften von SiGe-Nanostrukturen — •Olaf Kirfel1, Detlev Grützmacher1, Bert Müller2, Matthias Escher3 und Michael Merkel3 — 1Labor für Mikro- und Nanotechnologie, Paul-Scherrer-Institut — 2Biokompatible Werkstoffe und Bauweisen, ETH Zürich — 3FOCUS GmbH
Das neue Gerät kombiniert hochaufgelöste
Reflexionselektronenbeugung (SPA-RHEED)1 und
Energieverlustspektroskopie (ELS). Energiegefiltertes
RHEED dient zur In-situ-Charakterisierung der
Oberflächenmorphologie der SiGe Proben2.
Inelastische Elektronen werden dabei abgetrennt, obwohl diese
wichtige Informationen über die elektronische Struktur der
Probe enthalten. Mit dem neuen Gerät kann man diese
inelastisch gestreuten Elektronen winkelaufgelöst untersuchen.
Erste Messungen an Si(001)-2x1 zeigen bei einer
Winkelauflösung von 0,3 mrad neben den dominierenden
Oberflächenplasmonenverlusten weitere Verluste. Die erreichte Energieauflösung (FWHM des
elastischen Peaks) liegt deutlich unterhalb von 1 eV
bei einer Primärenergie von 3 keV.
1 B.Müller, M.Henzler, Rev. Sci. Instrum. 66, 5232 (1995)
2 B.Müller, M.Henzler, Surf. Sci. 389, 338 (1997)