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DS: Dünne Schichten

DS 18: Plasma- und Ionentechniken IV

DS 18.1: Hauptvortrag

Dienstag, 28. März 2000, 15:00–15:45, H32

Bogenbeschichtung in der Mikroelektronik - neue Technologie oder Illusion? — •Peter Siemroth, Jan Berthold, Thomas Schuelke, Thomas Witke und Ottmar Zimmer — Fraunhofer IWS, Winterbergstr. 28, D-01279 Dresden

Die weitere Verbesserung mikroelektronischer Schaltkreise erfordert neue Loesungen bei allen Herstellungsschritten. Insbesondere fuer den Uebergang von Aluminium zu Kupfer als Leiterbahnmaterial werden neue Technologien fuer das Einbringen der Barriere und des Kupfers in Graeben und Kontaktierungen mit hohen Aspektverhaeltnissen benoetigt. Typische Probleme bei den konventionellen PVD-Verfahren zur Metallisierung sind grosse Hohlraeume in den zu metallisierenden Grabenstrukturen, da im Falle eines niederenergetischen Plasmas sich die Teilchen bevorzugt an den oberen Kanten der Grabenstruktur anlagern. Weltweit wird daher nach Plasmaquellen gesucht, die Plasmen mit deutlich hoeherer Ionisierung als bei Sputterprozessen erzeugen koennen. Die Vakuumbogen-Verdampfung wurde bisher nicht als Beschichtungsverfahren fuer die Kupfertechnologie beruecksichtigt, obwohl bei der Bogenverdampfung Plasmen mit einem sehr hohen Anregungsgrad erzeugt werden koennen. Der Vortrag stellt neueste Konzepte vor, welche die bisherigen Probleme ueberwinden und der Bogentechnologie neue Anwendungsfelder erschliessen sollen.