Regensburg 2000 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 20: Plasma- und Ionentechniken VI

DS 20.1: Fachvortrag

Tuesday, March 28, 2000, 16:30–16:45, H32

Einfluß der Ionenenergie auf das epitaktische Schichtwachstum bei der ionengestützten Deposition dünner Galliumnitrid-Schichten — •J.W. Gerlach, R. Schwertberger, S. Sienz und B. Rauschenbach — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Epitaktische, hexagonale GaN-Schichten wurden durch ionengestützte Abscheidung unter Verwendung niederenergetischer Stickstoffionen (Energien bis zu 250 eV) auf c-Saphir deponiert.

Der Ionenenergie kommt bei der ionengestützten Epitaxie eine ganz besondere Bedeutung zu. Einerseits soll sie niedrig genug sein, um die Erzeugung von ioneninduzierten Defekten unterhalb der Schichtoberfläche zu vermeiden, denn diese können während des Depositionsprozesses nicht mehr beseitigt werden. Andererseits soll die Ionenenergie hoch genug sein, um Atomverlagerungen in der Oberflächenmonolage zu ermöglichen, da dadurch eine starke Anregung der Oberflächenmobilität erreicht werden kann. Dies führt zu epitaktischen Schichten von hoher kristalliner Qualität.

Anhand von Röntgenbeugungsmessungen, Ionengitterführungsspektren und elektronenmikroskopischen Aufnahmen von GaN-Schichten, die bei verschiedenen Ionenenergien hergestellt wurden, wird dieser Sachverhalt diskutiert.