Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
DS: Dünne Schichten
DS 22: Organische Schichten II
DS 22.1: Fachvortrag
Mittwoch, 29. März 2000, 14:45–15:00, H31
Oberflächen-Verlustwahrscheinlichkeiten von Radikalen aus Kohlenwasserstoffplasmen — •Christian Hopf, Achim von Keudell, Thomas Schwarz-Selinger und Wolfgang Jacob — Max-Planck-Institut für Plasmaphysik, EURATOM Association, D-85748 Garching
Die Oberflächen-Verlustwahrscheinlichkeit β eines reaktiven
Teilchens setzt sich aus dem effektiven Stickingkoeffizienten s und
der Wahrscheinlichkeit γ für eine Oberflächenreaktion
zu einem flüchtigen, nichtreaktiven Produkt zusammen. Sie wurde
mit der Hohlraum-Technik für die in der plasmagestützten Abscheidung
amorpher Kohlenwasserstoffschichten dominant zum Schichtwachstum
beitragenden Radikale bestimmt.
Zur Erklärung sämtlicher für die verschiedenen Quellgase und
Probenpositionen erhaltenen Schichtdickenverteilungen reichen die
drei Werte β1=0,80±0,05, β2=0,35±0,15
und β3≤ 10−2 aus, die einzelnen Radikalenspezies
zugeordnet werden. Das Auftreten von drei unterschiedlichen
β-Werten wird durch die verschiedenen Hybridisierungszustände
des Kohlenstoffs im Radikal erklärt.