DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Regensburg 2000 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Dünne Schichten

DS 24: Sonstiges II

DS 24.3: Fachvortrag

Wednesday, March 29, 2000, 17:30–17:45, H31

Einfluss von SiO2 auf die Silicidreaktion von Co/Ti Doppelschichten mit Si(100) — •Heiko Hortenbach, G. Beddies, D.K. Sarkar, S. Teichert und H.-J. Hinneberg — TU-Chemnitz,Institut für Physik, 09107 Chemnitz

Silicidschichten auf Si(100) mit atomar glatten Silicid-Silicium Grenzflächen erlangen für mikroelektronische Anwendungen zunehmende Bedeutung. Ein Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silicidschichten ist die Festphasenreaktion metallischer Doppelschichten (Co/Ti) mit Si(100) während einer Kurzzeittemperung. Es wurde der Einfluss ultradünner (0...3 nm) SiO2-Schichten, zwischen der Doppelschicht und dem Siliciumsubstrat, auf das CoSi2-Wachstum in Abhängigkeit von der Dicke der Oxidschicht und den Tempertemperaturen untersucht. Die Charakterisierun der Proben erfolgte mittels TEM, XRD, RBS sowie elektrischer Messungen.

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2000 > Regensburg