Regensburg 2000 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Sonstiges II

DS 24.4: Fachvortrag

Wednesday, March 29, 2000, 17:45–18:00, H31

Herstellung und Eigenschaften von MnSi1,7 auf Si(001) — •S. Teichert, S. Schwendler, D.K. Sarkar, H. Giesler, A. Mogilatenko, M. Falke, G. Beddies und H.-J. Hinneberg — TU Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz

Silicide mit einer Zusammensetzung nahe MnSi1,7 - häufig als Höhere Mangansilicide (HMS) bezeichnet - sind Halbleiter und besitzen eine tetragonale Kristallstruktur. Die Präparation der Proben erfolgte unter UHV-Bedingungen mit einer reaktiven Abscheidung unter Variation der Substrattemperatur. Bei der Abscheidung von 18 nm Mangan auf Si(001) bei Substrattemperaturen von 670K bis 1000K wurde ein Übergang vom Wachstum geschlossener Schichten zu ausgeprägtem Inselwachstum beobachtet. Die Reflexe der Röntgenbeugungsspektren aller Proben konnten den HMS zugeordnet werden. Sowohl die Röntgen- als auch Elektronenbeugung belegen ein texturiertes Wachstum der HMS mit (110)MnSi1,7 parallel zu (001)Si. Die temperaturabhängigen elektrischen Transportkoeffizienten können im Rahmen der Boltzmann-Theorie diskutiert werden.